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混合CMOS微型摄像头芯片版图
发布时间: 2015-12-08      大小:  16px  14px  12px

CMOS微型摄像头传感器芯片的工艺,属于带有微型摄像头传感器结构的模拟数字混合类型。由于兼容光电传感器的原因,工艺要求很低的漏电和噪声。通常其模拟电路部分的电源电压比较高,往往达到2. 5V 或者3. 3V,以满足模拟电路部件的线性和动态范围要求。而数字部分在180nm 工艺采用1. 5V,在130nm 工艺采用1. 2V,以及在90nm 以下的特征尺寸下采用0. 8V 及更低的电源电压,以获得更高的速度和更低的功耗。普通的CMOS微型摄像头 数字电路工艺也提供双电源甚至高达5V 的供电,但这些较高的电源电压只限于输入、输出焊盘的静电保护和逻辑电平转换,不同于这里讨论的CMOS微型摄像头传感器芯片中,有极低漏电和噪声要求的高电源电压工艺。不同电源电压反映到工艺结构上,主要表现在MOS 管栅极到沟道之间薄氧化层的不同厚度:在版图中用薄氧化层有源区用于低电源电压,厚氧化层有源区用于高电源电压,与之相关的版图几何尺寸有不同的设计规则。这里的混合CMOS 工艺上,还必须具备CMOS微型摄像头传感器芯片所必需的深阱和MiM 电容等结构。